TW015Z120C,S1F 单 FET、MOSFET_崇明集团（香港）国际_CHONGMING GROUP(HK)_闪存IC芯片_可编程IC芯片_计算机IC芯片_LED驱动器IC_电源管理IC_集成电路芯片

零件编号：	TW015Z120C,S1F
产品分类：	单 FET、MOSFET
制造商：	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述：	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1
封装：
包装：	管子
数量：	1298
RoHS 状态：	YES
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零件编号：

TW015Z120C,S1F

产品分类：

单 FET、MOSFET

制造商：

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

描述：

G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1

封装：

包装：

管子

数量：

1298

RoHS 状态：

YES

类型	描述
制造商	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
系列	-
包裹	管子
产品状态	ACTIVE
包装/箱	TO-247-4
安装类型	Through Hole
工作温度	175°C
技术	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
场效应管类型	N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs	21mOhm @ 50A, 18V
功耗（最大）	431W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id	5V @ 11.7mA
供应商设备包	TO-247-4L(X)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	18V
Vgs（最大）	+25V, -10V
漏源电压 (Vdss)	1200 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	158 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	6000 pF @ 800 V

类型

描述

制造商

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

系列

包裹

管子

产品状态

ACTIVE

包装/箱

TO-247-4

安装类型