STDCQR1-13M Кристаллы_CHONGMING GROUP(HK)_Микросхема флэш памяти IC_Программируемый чип IC_Компьютерный чип IC_LED - привод IC_Управление питанием IC_Чип ИС

Номер запчастей：	STDCQR1-13M
Классификация продукции：	Кристаллы
Производитель：	NDK
Описание：	CRYSTAL 13.0000MHZ 8PF SMD
Упаковка：
Упаковка：	Лента и катушка (TR)
Количество：	1200
Состояние RoHS：	YES
Поделиться

Продукты параметры

Описание продукции

PDF(1)

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	NDK
Ряд	NX3225SA
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	4-SMD, No Lead
Емкость нагрузки	8pF
Размер / Размер	0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Тип монтажа	Surface Mount
Тип	MHz Crystal
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C
Стабильность частоты	±25ppm
Допуск по частоте	±15ppm
Рабочий режим	Fundamental
Высота - сидя (макс.)	0.024" (0.60mm)
ESR (эквивалентное последовательное сопротивление)	80 Ohms
Частота	13 MHz

Похожие модели

STD155N3LH6

意法-ST

N沟道30 V、0.0024 Ohm、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，DPAK封装

STD15N60M2-EP

意法-ST

N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package

STD3LN80K5

意法-ST

N沟道800 V、2.75 Ohm典型值、2 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封装

STD2805

意法-ST

Low voltage fast-switching PNP power transistor

STD130N4F6AG

意法-ST

Automotive-grade N-channel 40 V, 3.0 mOhm typ., 80 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package

STD40NF03L

意法-ST

N-CHANNEL 30V - 0.0090 OHM - 40A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET

STD20P3H6AG

意法-ST

Automotive-grade P-channel -30 V, 33 mOhm typ., -20 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package

STD40P8F6AG

意法-ST

汽车级P沟道-80 V、18.5 mOhm典型值、-40 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装

STD120N4LF6

意法-ST

N沟道40 V、3.1 mOhm、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，DPAK封装

STD13NM60N

意法-ST

N沟道600 V、0.28 Ohm典型值、11 A MDmesh(TM) II功率MOSFET，DPAK封装

STD12NF06L-1

意法-ST

N沟道60 V、0.08 Ohm典型值、12 A STripFET II功率MOSFET，IPAK封装

STD80N10F7

意法-ST

N沟道100 V、0.0085 Ohm典型值、70 A STripFET F7功率MOSFET，DPAK封装

STD170N4F7AG

意法-ST

汽车级N沟道40 V、2.2 mOhm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET，DPAK封装

STD10NM60ND

意法-ST

N-channel 600 V, 570 mOhm typ., 8 A, FDmesh II Power MOSFET in a DPAK package

STD11NM60N

意法-ST

N-channel 600 V, 0.37 Ohm, 10 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in a DPAK package

STD1NK80ZT4

意法-ST

N-channel 800 V, 13 Ohm typ., 1 A SuperMESH Power MOSFET in a DPAK package

STD8NF25

意法-ST

N沟道250 V、318 mOhm典型值、8 A STripFET(TM) II功率MOSFET，DPAK封装

STD3PK50Z

意法-ST

P-channel 500 V, 3 Ohm, 2.8 A DPAK, Zener-protected SuperMESH Power MOSFET

STD3N40K3

意法-ST

N-channel 400 V, 2.7 Ohm typ., 2 A SuperMESH K3 Power MOSFET in a DPAK package

STD60NF3LL

德州仪器-TI

N-channel 30V - 0.0075Ω - 60A - DPAK STripFET™ II Power MOSFET

STD64N4F6AG

意法-ST

汽车级N沟道40 V、7 mOhm典型值、54 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装

STD10NM60N

意法-ST

N沟道600 V、0.53 Ohm典型值、10 A MDmesh II功率MOSFET，DPAK封装

STD6N80K5

意法-ST

N沟道800 V、1.3 Ohm典型值、4.5 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封装

STD150N3LLH6

意法-ST

N-channel 30 V, 0.0024 Ohm, 80 A, DPAK Power MOSFET

STDP6036

意法-ST

Triple input LCD controller for WUXGA applications

STD3NK50ZT4

意法-ST

N沟道500 V、2.8 Ohm典型值、2.3 A SuperMESH功率MOSFET，DPAK封装

STD16NF06L

意法-ST

N-channel 60 V, 0.060 Ohm typ., 16 A STripFET II Power MOSFET in DPAK package

STD9NM50N

意法-ST

N沟道500 V、0.73 Ohm、5 A MDmesh(TM) II功率MOSFET，DPAK封装

STD11NM65N

意法-ST

N沟道650 V、0.425 Ohm典型值、11 A MDmesh(TM) II功率MOSFET，DPAK封装

STD2N62K3

意法-ST

N沟道620 V、3 Ohm典型值、2.2 A SuperMESH3(TM) 功率MOSFET，DPAK封装

STD7N60DM2

意法-ST

N沟道600 V、0.78 Ohm典型值、6 A MDmesh DM2功率MOSFET，DPAK封装

STD5N20L

意法-ST

N沟道200 V、0.65 Ohm、5 A STripFET(TM) 功率MOSFET，DPAK封装

STD12N60DM6

意法-ST

N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package

STD7N80K5

意法-ST

N沟道800 V、0.95 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封装

STD4NK80Z-1

意法-ST

N沟道800 V、2.7 Ohm典型值、3 A SuperMESH功率MOSFET，IPAK封装

STD18N65M2-EP

意法-ST

N-channel 650 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package

STD7ANM60N

意法-ST

N沟道600 V、5 A、0.84 Ohm典型值MDmesh(TM) II功率MOSFET，DPAK封装

STD18N55M5

意法-ST

N沟道550 V、0.150 Ohm典型值、16 A MDmesh M5功率MOSFET，DPAK封装

STD10NF10T4

意法-ST

N沟道100 V、0.115 Ohm典型值、13 A STripFET II功率MOSFET，DPAK封装

STD888

意法-ST

高电流高性能低压PNP晶体管

STD12N65M2

意法-ST

N沟道650 V、0.42 Ohm典型值、8 A MDmesh M2功率MOSFET，DPAK封装

STD12N50DM2

意法-ST

N沟道500 V、0.299 Ohm典型值、11 A MDmesh DM2功率MOSFET，DPAK封装

STDP7310

意法-ST

Single-chip enhanced premium monitor controller

STD03N

Allegro

达林顿晶体管音频放大器 (Darlington Transistors for Audio Amplifiers)

STD3N80K5

意法-ST

N沟道800 V、2.8 Ohm典型值、2.5 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封装

STD6NK50Z

意法-ST

N-CHANNEL 500V - 0.93͐2;6; - 5.6A DPAK Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET

STD15P6F6AG

意法-ST

汽车级P沟道-60 V、0.13 Ohm典型值、-10 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装

STD25NF10T4

意法-ST

N沟道100 V、0.033 Ohm典型值、25 A StripFET功率MOSFET，DPAK封装

STD7N52K3

意法-ST

N沟道525 V、0.72 Ohm、6 A SuperMESH3(TM) 功率MOSFET，DPAK封装

STD7NM80

意法-ST

N沟道800 V、0.95 Ohm、6.5 A MDmesh(TM) 功率MOSFET，DPAK封装