G2K2P10D3E Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы_CHONGMING GROUP(HK)_Микросхема флэш памяти IC_Программируемый чип IC_Компьютерный чип IC_LED - привод IC_Управление питанием IC_Чип ИС

Номер запчастей：	G2K2P10D3E
Классификация продукции：	Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель：	Goford Semiconductor
Описание：	MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
Упаковка：
Упаковка：	Лента и катушка (TR)
Количество：	6170
Состояние RoHS：	YES
Поделиться

Номер запчастей：

G2K2P10D3E

Классификация продукции：

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Производитель：

Goford Semiconductor

Описание：

MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-

Упаковка：

Лента и катушка (TR)

Количество：

6170

Состояние RoHS：

YES

Продукты параметры

Описание продукции

PDF(1)

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	Goford Semiconductor
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	8-PowerVDFN
Тип монтажа	Surface Mount
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	10A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	210mOhm @ 6A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)	31W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщика	8-DFN (3.15x3.05)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)	4.5V, 10V
ВГС (Макс)	±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)	100 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	33 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	1668 pF @ 50 V

Альтернативная модель

                                          G2K2P10D3E                                        

                                          谷峰-GOFORD                                        

                                        Trench Mosfet                                      