ТИП | ОПИСАНИЕ |
Производитель | Central Semiconductor |
Ряд | - |
Упаковка | Масса |
Статус продукта | OBSOLETE |
Пакет/кейс | Die |
Тип монтажа | Surface Mount |
Тип транзистора | NPN |
Рабочая Температура | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 3V @ 3.3A, 10A |
Ток-отсечка коллектора (макс.) | 700µA |
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 20 @ 4A, 4V |
Частота – переход | 2.5MHz |
Пакет устройств поставщика | Die |
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 15 A |
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 60 V |
Мощность - Макс. | 115 W |