TW015Z120C,S1F Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы_CHONGMING GROUP(HK)_Микросхема флэш памяти IC_Программируемый чип IC_Компьютерный чип IC_LED - привод IC_Управление питанием IC_Чип ИС

Номер запчастей：	TW015Z120C,S1F
Классификация продукции：	Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель：	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Описание：	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1
Упаковка：
Упаковка：	Трубка
Количество：	1298
Состояние RoHS：	YES
Поделиться

Номер запчастей：

TW015Z120C,S1F

Классификация продукции：

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Производитель：

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Описание：

G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1

Упаковка：

Трубка

Количество：

1298

Состояние RoHS：

YES

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	TO-247-4
Тип монтажа	Through Hole
Рабочая Температура	175°C
Технологии	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	100A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	21mOhm @ 50A, 18V
Рассеиваемая мощность (макс.)	431W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 11.7mA
Пакет устройств поставщика	TO-247-4L(X)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)	18V
ВГС (Макс)	+25V, -10V
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1200 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	158 nC @ 18 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	6000 pF @ 800 V

ТИП

ОПИСАНИЕ

Производитель

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Ряд

Упаковка

Трубка

Статус продукта

ACTIVE

Пакет/кейс

TO-247-4

Тип монтажа