取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$0.9240
$0.9240
10
$0.7560
$7.5600
100
$0.5880
$58.8000
500
$0.4935
$246.7500
1000
$0.4095
$409.5000
2000
$0.3780
$756.0000
5000
$0.3675
$1,837.5000
10000
$0.3570
$3,570.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Ряд | U-MOSIX-H |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | 175°C |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 70A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 35A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 960mW (Ta), 81W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.1V @ 200µA |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOP Advance (5x5) |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 2300 pF @ 15 V |
