NE85633-T1B-A Биполярные радиочастотные транзисторы_CHONGMING GROUP(HK)_Микросхема флэш памяти IC_Программируемый чип IC_Компьютерный чип IC_LED - привод IC_Управление питанием IC_Чип ИС

Номер запчастей：	NE85633-T1B-A
Классификация продукции：	Биполярные радиочастотные транзисторы
Производитель：	CEL (California Eastern Laboratories)
Описание：	SAME AS 2SC3356 NPN SILICON AMPL
Упаковка：
Упаковка：	Лента и катушка (TR)
Количество：	28200
Состояние RoHS：	YES
Поделиться

Номер запчастей：

NE85633-T1B-A

Классификация продукции：

Биполярные радиочастотные транзисторы

Производитель：

CEL (California Eastern Laboratories)

Описание：

SAME AS 2SC3356 NPN SILICON AMPL

Упаковка：

Лента и катушка (TR)

Количество：

28200

Состояние RoHS：

YES

Продукты параметры

Описание продукции

PDF(1)

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	CEL (California Eastern Laboratories)
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	OBSOLETE
Пакет/кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажа	Surface Mount
Тип транзистора	NPN
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Прирост	11.5dB
Мощность - Макс.	200mW
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	100mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	12V
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce	50 @ 20mA, 10V
Частота – переход	7GHz
Коэффициент шума (дБ, тип @ f)	1.1dB @ 1GHz
Пакет устройств поставщика	3-MINIMOLD