GCMS040B120S1-E1 Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы_CHONGMING GROUP(HK)_Микросхема флэш памяти IC_Программируемый чип IC_Компьютерный чип IC_LED - привод IC_Управление питанием IC_Чип ИС

Номер запчастей：	GCMS040B120S1-E1
Классификация продукции：	Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель：	SemiQ
Описание：	SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S
Упаковка：
Упаковка：	Трубка
Количество：	1288
Состояние RoHS：	YES
Поделиться

Номер запчастей：

GCMS040B120S1-E1

Классификация продукции：

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Производитель：

SemiQ

Описание：

SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S

Упаковка：

Трубка

Количество：

1288

Состояние RoHS：

YES

Продукты параметры

Описание продукции

PDF(1)

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	SemiQ
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	SOT-227-4, miniBLOC
Тип монтажа	Chassis Mount
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Технологии	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	57A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	52mOhm @ 40A, 20V
Рассеиваемая мощность (макс.)	242W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 10mA
Пакет устройств поставщика	SOT-227
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)	20V
ВГС (Макс)	+25V, -10V
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1200 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	124 nC @ 20 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	3110 pF @ 1000 V

Альтернативная модель

                                          GCMS040B120S1-E1                                        

                                          SemiQ                                        

                                        1200V | 40mΩ SiC MOSFET and 10A SBD Copack in SOT-227                                      