G3R160MT17J Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы_CHONGMING GROUP(HK)_Микросхема флэш памяти IC_Программируемый чип IC_Компьютерный чип IC_LED - привод IC_Управление питанием IC_Чип ИС

Номер запчастей：	G3R160MT17J
Классификация продукции：	Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель：	GeneSiC Semiconductor
Описание：	SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
Упаковка：
Упаковка：	Трубка
Количество：	1200
Состояние RoHS：	YES
Поделиться

Номер запчастей：

G3R160MT17J

Классификация продукции：

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Производитель：

GeneSiC Semiconductor

Описание：

SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7

Упаковка：

Трубка

Количество：

1200

Состояние RoHS：

YES

Продукты параметры

Описание продукции

PDF(1)

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	GeneSiC Semiconductor
Ряд	G3R™, LoRing™
Упаковка	Трубка
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Тип монтажа	Surface Mount
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Технологии	SiCFET (Silicon Carbide)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	18A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	224mOhm @ 10A, 15V
Рассеиваемая мощность (макс.)	187W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id	2.7V @ 5mA
Пакет устройств поставщика	TO-263-7
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)	15V
ВГС (Макс)	±15V
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1700 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	29 nC @ 15 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	854 pF @ 1000 V

Альтернативная модель

                                          G3R160MT17J                                        

                                          基因碳化硅-GeneSiC                                        

                                        SiC MOSFET                                      