DTD543XE3TL Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением_CHONGMING GROUP(HK)_Микросхема флэш памяти IC_Программируемый чип IC_Компьютерный чип IC_LED - привод IC_Управление питанием IC_Чип ИС

Номер запчастей：	DTD543XE3TL
Классификация продукции：	Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
Производитель：	ROHM Semiconductor
Описание：	TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Упаковка：
Упаковка：	Лента и катушка (TR)
Количество：	4200
Состояние RoHS：	NO
Поделиться

Номер запчастей：

DTD543XE3TL

Классификация продукции：

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением

Производитель：

ROHM Semiconductor

Описание：

TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3

Упаковка：

Лента и катушка (TR)

Количество：

4200

Состояние RoHS：

Продукты параметры

Описание продукции

PDF(1)

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	ROHM Semiconductor
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	SC-75, SOT-416
Тип монтажа	Surface Mount
Тип транзистора	NPN - Pre-Biased + Diode
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic	300mV @ 5mA, 100mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)	500nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce	140 @ 100mA, 2V
Пакет устройств поставщика	EMT3
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	500 mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	12 V
Мощность - Макс.	150 mW
Частота – переход	260 MHz
Резистор — база (R1)	4.7 kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)	10 kOhms